金融界2024年12月21日音书，国度学问产权局信息自大，北京朔方华创微电子装备有限公司肯求一项名为“自瞄准多重图形的酿成时局及半导体器件”的专利，公开号CN119153318A，肯求日历为2023年6月。

专利提要自大，本肯求公开一种自瞄准多重图形的酿成时局及半导体器件，波及半导体规模。自瞄准多重图形的酿成时局包括：提供具有看法层的半导体衬底，在看法层上酿成芯轴层和断送层；对芯轴层和断送层进行刻蚀，以酿成芯轴掩膜图案；在看法层和芯轴掩膜图案上进行千里积，次第酿成第一侧墙层、第二侧墙层和第三侧墙层，第三侧墙层填充第二侧墙层的缝隙；在水平常朝上去除第二侧墙层和第三侧墙层，以露馅第一侧墙层的顶面；去除暴显现的第二侧墙层；去除水平常朝上的第一侧墙层，以暴显现断送层；去除暴显现的断送层及芯轴层；对看法层进行刻蚀，在看法层上酿成预定图案。本肯求处置刻下自瞄准双重工艺难以闲适小尺寸条款等问题。

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